پژوهش های نوین فیزیک

---

در این تحقیق لایه‌های سیلیسیوم نانومتخلخل با درصد تخلخل‌های مختلف با استفاده از روش آنودیزاسیون الکتروشیمیایی تهیه شدند. مورفولوژی سطوح و اندازه حفره‌ها با استفاده از میکروسکوپ الکترونی عبوری بررسی شد. لایه‌های دی‌اکسید تیتانیوم به‌روش تبخیر با پرتو تفنگ الکترونی بر روی سیلسیوم متخلخل لایه نشانی شدند. اثر شرایط آنودیزاسیون مانند زمان آنودی‌سازی و چگالی جریان بر مورفولوژی و خواص الکتریکی قطعات  با اندازه‌گیری ولتاژ- جریان بررسی شد. نتایج نشان داد که خواص الکتریکی تحت تاثبر چگالی جریان و زمان آنودی سازی قرار می‌گیرد. هم‌چنین رسانندگی Ac قطعات ساندویچی Al/TiO_۲/PSi/Al را در محدودۀ فرکانسی ۱۰^۲تا ۱۰^۵هرتز و محدودۀ دمایی۳۰۰ تا ۳۷۸ کلوین بررسی کردیم. در محدودۀ فرکانسی کم‌تر از ۱۰^۳ هرتز نظریه نواری و در محدوده فرکانسی بزرگ‌تر از ۱۰^۳ هرتز مکانیزم هوپینگ در توضیح رسانندگی نانو ساختارهای لایه نازک TiO_۲/Psi با الکترودهای آلومینیوم کاربرد دارد.