پژوهش های نوین فیزیک

---

در این پژوهش اندازه‌گیری‌هایac بر روی لایه‌های نازک فتالوسیانین مسCuPc با الکترود‌های آلمینیومی در محدوده ی فرکانس‌های 102 تا 105 هرتز و درفاصله دمایی 300 تا420 درجه کلوین بررسی شده است. مقدار ظرفیت وعامل اتلاف با افزایش فرکانس کاهش می‌یابند و ظرفیت با افزایش دما افزایش پیدا می‌کند. نتایج نشان می‌دهند که غالب شدن مدل‌های جهشی با برد متغیر(VRH) وتئوری نواری در مکانیسم رسانش وابسته به شرایط اعمال شده است. مشاهده شد که در فرکانس‌های پایین و درجه حرارت‌های بالا مکانیسم هدایت از نوع نواری، و در فرکانس‌های بالا و درجه حرارت‌های پایین از نوع جهشی با برد متغیر است. مقدار گاف انرژی CuPc با استفاده از اندازه‌گیری‌های dc تعیین شده است.

---

در این مقاله با اتصال دو زنجیرۀ اتمی یک‌نواخت به اتم­های دو جای‌گاه متقابل نانونوارهای گرافن به بررسی رسانش الکترونی و گاف انرژی آن می‌پردازیم. محاسبات به‌کمک روش تابع گرین و رهیافت بستگی قوی در تقریب همسایۀ اول انجام می­شود. بررسی منحنی­های رسانش بر حسب انرژی الکترون ورودی نشان می‌دهد که برای یک نانونوار زیگزاگ گرافن به عرض یک حلقۀ بنزنی هیچ گافی در نوار انرژی سامانه وجود ندارد، در حالی‌که در مورد دسته صندلی همواره یک گاف حول انرژی فرمی مشاهده می­شود که مقدار آن به اندازۀ نانونوار بستگی دارد. در پایان از مقایسۀ نتایج به‌دست آمده با پژوهش‌های قبلی، می­توان نتیجه گرفت که رفتار رسانش الکترونی نانونوارهای گرافنی شدیداً به‌نحوۀ اتصال الکترودها و کیفیت اتصال­ها وابسته است.