fa بررسی مکانیسم هدایت الکتریکی قطعات لایه نازک ساندویچی فتالوسیانین مس علمی پژوهشی کاربردی S در این پژوهش اندازه‌گیری‌هایac بر روی لایه‌های نازک فتالوسیانین مسCuPc با الکترود‌های آلمینیومی در محدوده ی فرکانس‌های 102 تا 105 هرتز و درفاصله دمایی 300 تا420 درجه کلوین بررسی شده است. مقدار ظرفیت وعامل اتلاف با افزایش فرکانس کاهش می‌یابند و ظرفیت با افزایش دما افزایش پیدا می‌کند. نتایج نشان می‌دهند که غالب شدن مدل‌های جهشی با برد متغیر(VRH) وتئوری نواری در مکانیسم رسانش وابسته به شرایط اعمال شده است. مشاهده شد که در فرکانس‌های پایین و درجه حرارت‌های بالا مکانیسم هدایت از نوع نواری، و در فرکانس‌های بالا و درجه حرارت‌های پایین از نوع جهشی با برد متغیر است. مقدار گاف انرژی CuPc با استفاده از اندازه‌گیری‌های dc تعیین شده است. In this research, ac measurements of copper phthalocyanine thin film using aluminium electrodes are investigated in the frequency range 102 to 105 Hz and within the temperature range frequency and the capacitance and dissipation factor(loss tangent) decrease with increasing relative importance of the hopping model and band theory in describing the film condution with regard to the operating conditions. It was observed that the band theory is dominant at high frequencies and high temperatures, whereas hopping model is dominant at low frequencies. The energy gap of CuPc was determined using dc measurements. لایه نازک ساندویچی Al CuPe Al , مکانیسم هدایت الکتریکی , گاف انرژی , electrical conduction mechanism , copper phthalocyanine , thin film , sandwich devices , 387 394 http://jsci.khu.ac.ir/browse.php?a_code=A-10-3-57&slc_lang=fa&sid=1