دوره 9، شماره 2 - ( 3-1388 )
جلد 9 شماره 2 صفحات 394-387 |
برگشت به فهرست نسخه ها
Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
Investigatino of Electrical Conduction Mechanism of Copper Phthalocyanine Thin Film Sandwich Devices (Al/CuPc/Al). Journal title 2010; 9 (2) :387-394
URL: http://jsci.khu.ac.ir/article-1-1338-fa.html
URL: http://jsci.khu.ac.ir/article-1-1338-fa.html
بررسی مکانیسم هدایت الکتریکی قطعات لایه نازک ساندویچی فتالوسیانین مس. عنوان نشریه. 1388; 9 (2) :387-394
چکیده: (5599 مشاهده)
در این پژوهش اندازه‌گیری‌هایac بر روی لایه‌های نازک فتالوسیانین مسCuPc با الکترود‌های آلمینیومی در محدوده ی فرکانس‌های 102 تا 105 هرتز و درفاصله دمایی 300 تا420 درجه کلوین بررسی شده است. مقدار ظرفیت وعامل اتلاف با افزایش فرکانس کاهش می‌یابند و ظرفیت با افزایش دما افزایش پیدا می‌کند. نتایج نشان می‌دهند که غالب شدن مدل‌های جهشی با برد متغیر(VRH) وتئوری نواری در مکانیسم رسانش وابسته به شرایط اعمال شده است. مشاهده شد که در فرکانس‌های پایین و درجه حرارت‌های بالا مکانیسم هدایت از نوع نواری، و در فرکانس‌های بالا و درجه حرارت‌های پایین از نوع جهشی با برد متغیر است. مقدار گاف انرژی CuPc با استفاده از اندازه‌گیری‌های dc تعیین شده است.
نوع مطالعه: علمی پژوهشی کاربردی |
انتشار: 1389/7/23
انتشار: 1389/7/23
| بازنشر اطلاعات | |
 | این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است. |
